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Home > Products > PMN-PT 단결정 Wafer / thick film
 
Property Symbol Unit Type IA Type IB
Orientation of Poling <001> <001>
Density g/㎤ ≥8.0 ≥8.0
Dielectirc constant
(@1kHz)
K3T 5507 6502
Dielectirc loss factor
(@1kHz)
tanδ % <1 <1
Phase transition temperature
((@1kHz)
TRT 94 88
Coupling coefficient k33 0.89 0.91
k31 0.50 0.52
Piezoelectric Charge
coefficient
d33 pC/N 1496 1871
d31 -777 -977
Elastic compliance
constant open circuit
s33D ⅹ10-12
㎡/N
11.9 11.8
  ㈜아이블포토닉스에서는 응용 부품에 알맞은 다양한 형태와 사이즈의 PMN-PT Single Crystal block을 을 가공을 할 수 있는 생산라인 및 프로세스를 확보하고 있습니다.
 
  [Specification]
Size : 1x1 ~ 60 x 60 mm
Thickness : 0.1~3mm
Adhesion layer(Ti or Cr) : 20nm
Au Electrode : 100~200nm
Shape : 직사각형, 직육면제, 원형
 
 
  (주)아이블 포토닉스에서는 실리콘 기판에 PMN-PT 단결정을 접합하고, 응용에 적합한 두께로 가공을 할 수 있는 프로세스를 확보하고 있습니다. MEMS 음향센서나 P-MUT (Piezoelectric Micromachined ultrasonic transducers) 등의 제품에 응용이 가능합니다.
 
  [Specification]
기판 (Substrate) : 실리콘 웨이퍼
기저 전극 : 금 (Gold)
단결정 두께 : 10~100 ㎛
표면처리 : 거울면 (Mirror Face)
 
 
   
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